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简介：对于快速二极管器件，损耗和反向恢复软度仍然是匹配新的ET-IGBT性能的关键性能指标。场充电提取（FCE）概念表明，极端开关条件下的软恢复性能加上低损耗都可以实现，同时对其他电气参数没有影响。
