汽车母线电压越来越高，需要功率器件跟进

　　光阴似箭，日月如梭。2012年3月，《Bodo’s功率系统》杂志中文版首次与中国国内读者见面。弹指间，已10年光阴有余。在电子媒体发展的大环境下，我们还继续保留着线下纸媒杂志，非常感恩行业客户与读者的支持。我们会继续保持初心，秉着一本杂志，一份信念，一如既往，准时高效的原则，为电力电子行业提供优质技术分享与行业发展趋势动态。

　　现在，一些高端豪华电动汽车开始使用900V母线电压，以后的趋势甚至是1000V到1200V母线电压。理由何在？由于功率等于电压×电流，在同样功率下，提高母线电压就可以减小电流，减小电流就可以减少电路损耗。其实，内部电流无论怎么流动，都要通过导体、导线连接，所以在同样功率情况下提高母线电压，电流减小，与电流相关的导线损耗就会降低，可以用更细的导线，整车重量和体积都会下降，对续航里程非常有帮助。

　　与400V相比，采用900V母线电压产生的热量损耗是原来的1/5，大大提升了电动汽车的效率。另外，提高母线电压可以大幅缩短电池充电时间。母线电压的提高也恰恰为耐高压的碳化硅器件的使用创造了条件。当然，为了顺应汽车母线电压越来越高的趋势，也对汽车级开关电源IC提出了更高的要求。

　　“面对面”栏目就介绍了Power Integrations发布的满足电动汽车高压功率架构的1700V SiC MOSFET。该新器件是业界首款采用碳化硅初级开关MOSFET的汽车级开关电源IC，可提供高达70W输出功率，主要用于600V和800V纯电池和燃料电池乘用车，以及电动巴士、卡车和各种工业电源应用。

　　“封面故事”中，德国 ed-k 公司CEO介绍了针对 0.1A 至 10kA 电流范围磁性元件的脉冲电感测试方案，使用具有 IGBT 功率等级的 DPG10/20 系列电抗测试仪，通过脉冲法测量功率电感元器件，该方案优于其他测量方法。

　　“宽禁带”栏目是3-5 Power Electronics的文章，介绍了使用砷化镓二极管降低高功率LLC变换器成本的方法。砷化镓功率二极管是宽禁带半导体器件，拥有优异的性能，其成本约为碳化硅的70%。文章还对 10kW LLC 变换器中的砷化镓、碳化硅和超快恢复硅二极管的性能进行了对比测试，这种拓扑结构也可用于高效电动汽车充电桩。

　　本期一篇介绍第四代半导体的文章指出，锑化物半导体当之无愧占据了第四代半导体的核心地位，并作为经典Ⅲ-Ⅴ族体系在本世纪初重新得到广泛重视。其理由是，锑化物半导体在开发下一代的体积小、重量轻、低功耗、低成本器件，满足极为苛刻应用要求方面具有不可替代的优势，是包括民用、国防在内的细分领域——红外成像的热门候选材料。

　　一本杂志，一份信念，一如既往，准时高效。

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