面向高功率密度应用的ePower芯片组系列

　　宜普电源转换公司（EPC）推出新型ePower芯片组系列，集成了100 V的GaN驱动器和FET，可实现65 A功率，为高功率密度应用提供更高的性能和更小尺寸的解决方案，其应用包括面向电动运输、机器人和无人机的DC-DC转换和电机驱动器。

　　硅基氮化镓集成电路在更小的空间内提供更高的性能，大大减少设计工程。

　　从数字和模拟控制器的控制环境中，ePower芯片组将PWM指令信号转化为高电压和大电流，可驱动负载。工程师可以利用ePower芯片组为eMotion、机械臂和无人机应用提供更轻、精度更高的电池驱动无刷直流电机，以及为数据中心、数据通信、人工智能、太阳能MPPT和其他工业及消费应用提供效率更高的48V DC/DC转换。

　　EPC23101 eGaN IC加上EPC2302 eGaN FET组合成为这个ePower芯片组，能够实现100 V的最大耐受电压、提供高达65A的负载电流和开关速度大于1 MHz。

　　当在48 V/12 V降压转换器工作时，EPC23101 + EPC2302芯片组在1 MHz开关频率下的效率为96%。在500 kHz开关频率下的效率为97%，可在低于50 °C的温升下提供65 A的电流。

　　·采用宜普电源转换公司（EPC）的专利GaN IC技术的EPC23101集成电路的主要特点包括集成了具有3.3 mOhm 导通电阻的高压侧场效应管，带有栅极驱动器、输入逻辑接口、电平转换、自举充电、栅极驱动缓冲电路，以及栅极驱动器输出以驱动外部低侧eGaN FET。

　　·EPC2302 eGaN FET具有超小的导通电阻，仅为1.8 mOhm，同时具有非常小的QG、QGD和QOSS参数，可实现低传导和开关损耗。

　　·这两款器件都采用了热增强型QFN封装，顶部裸露，这两款器件之间的引脚布局经过优化。芯片组的占板面积为7 mm×5 mm，为最高功率密度的应用提供了一个极小的解决方案。

　　开发板

　　EPC90142开发板采用最大器件电压为100 V、最大输出电流为65 A的半桥器件，特性产品为EPC23101 ePower IC和EPC2302 eGaN FET，从而简化对ePower功率级芯片组的进行评估的过程。开发板的尺寸为2”×2”（50.8 mm×50.8 mm），是为实现最佳开关性能而设计的，并且包含所有关键元件，让工程师易于进行评估。